คุณตะเปลี่ยนมหาวิทยาลัยหรอ

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2. 充電注入設備
CID 是 1974 年通用電氣（Michon 1974） 發明的 X-Y 可定址光敏 MOS 電容器元件陣列。
圖元由兩個MOS電容器組成，這些電容器由沿
列和行（圖 1）。
場氧化物確保圖元分離，連續匯流排架構允許從陣列邊緣進行單個圖元控制。在每個圖元中，一個電極連接到柱匯流排，一個電極連接到行匯流排。
這允許每個匯流排充當感知節點或存儲節點。通過將信號從列傳輸到行（從存儲到檢測節點），可以完成對圖元的感應電荷過程。
CID圖元的基本操作如圖2（Ninkov等人，1994a）所示。為了累積圖元中事件光子生成的孔（圖 2，階段（a）;累積），檢測節點和存儲節點都連接到負電位。
在預定時間之後，在測量零電平時，檢測節點浮動（圖 2，階段（b）;零電平讀取）。
然後，通過將存儲節點連接到正電位，將存儲節點下的費用推送到檢測節點。
生成的電荷（現在在檢測節點下）被測量，並將其與零電平讀出（圖2，階段（c）;信號讀出進行比較）。
失光子的數量與兩個測量值之間的差值成正比。
從這裡，有兩個選項可用;通過重新創建該節點的負電位，即在持續累積之前啟用無損讀出 （NDRO），將感應電荷驅動回存儲節點，或者將兩個節點設置為正電位並注入孔進入基板（圖2，階段（d）;注射）。
電荷注入發生後，圖元將返回到其累積模式。任何圖元上的信號讀出不會影響陣列中其他圖元的狀態，並且讀出不需要
向圖元網站注入信號電荷或將電荷轉移出去。

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